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郭慧尔; 葛焱; 王春来; 李琳珑; 于永强;
合肥工业大学电子科学与应用物理学院;
In2O3纳米线; 化学气相沉积; Cd掺杂; 场效应晶体管;
机译:SR掺杂立方IN2O3 / rhombohedral IN2O3同性界纳米线用于高敏感和选择性呼吸乙醇传感:实验和DFT仿真研究
机译:Sn掺杂的In2O3(ZnO)(4)和In2O3(ZnO)(5)纳米线的短周期超晶格结构
机译:基于Ti掺杂IN2O3纳米线的增强型现场效应晶体管
机译:超高灵敏度光电探测器从紫外线可见,基于GA掺杂IN2O3纳米线光电晶体管,顶部栅极结构
机译:基于激光冲击的平台可控地形成纳米线和纳米膜。
机译:硫化锡掺杂In2O3纳米线的电结构和光学性质
机译:Sn-掺杂In2O3(ZnO)4和In2O3(ZnO)5纳米线的短期超晶格结构
机译:离子束溅射制备低掺杂sn掺杂In2O3(ITO)薄膜。
机译:具有基于铜的掺杂剂的氧化铟纳米线,具有相同的形成方法和气体传感器以及具有多个金属酞菁的纳米线,具有纳米结构的纳米排列和具有多个金属邻苯二甲酸度的气体传感器的纳米氧化物
机译:光电发光器件(即基于氮化镓的LED)具有p掺杂的平面化层,允许径向注入纳米线中的空穴,以及n型硅衬底,允许轴向注入纳米线中的电子
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