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用于ULSI铜布线的化学机械抛光分析

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摘要

对ULSI中多层金属铜布线的CMP(化学机械抛光)进行了理论分析,介绍了Cu-CMP模型与机理及其动力学过程,抛光液的种类及其存在的问题,并对CuCMP的研究作了进一步探讨.

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来源
《河北工业大学学报》 |2002年第1期|33-37|共5页
作者
王新; 于广; 刘玉岭;
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作者单位

河北工业大学,微电子所,天津,300130;

河北工业大学,图书馆,天津,300130;

河北工业大学,微电子所,天津,300130;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
ULSI; 铜; 化学机械抛光; 抛光液;

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