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翟冬青; 李洪鑫; 李彦波;
河北大学电子系;
钝化效果; 半绝缘多晶硅; 流量比; LPCVD; 氧原子; 晶粒间界; 晶界; 面缺陷; 半导体表面; 硅衬底;
机译:LPCVD沉积温度对超敏多晶硅膜表面性质的影响
机译:LPCVD沉积的非掺杂和B或P掺杂的多晶硅的电子性质和微观结构
机译:具有半绝缘多晶硅屏蔽层的绝缘子上绝缘硅简化表面场器件的分析模型
机译:RT-LPCVD和LPCVD多晶硅薄膜的物理性质:在发射太阳能电池中的应用
机译:聚乙烯/多面体低聚倍半硅氧烷复合材料:高压电力电缆的电绝缘=聚乙烯基与多面体低聚硅倍半氧烷添加剂的复合材料:电力电缆的电绝缘
机译:拓扑绝缘子的性质制备及应用研究进展
机译:LPCVD沉积原位硼掺杂多晶硅及其在多晶硅发射器晶体管中的应用。
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管
机译:LPCVD装置和使用LPCVD在晶片上制造多晶硅的方法
机译:多晶硅:硅CMP处理高密度DRAM存储器单元结构-包括沉积第一和第二绝缘层,第一和第二多晶硅:第三绝缘层,去除多余的第二多晶硅:和第三绝缘层,形成电介质并沉积第三多晶硅:硅
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