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机译:具有半绝缘多晶硅屏蔽层的绝缘子上绝缘硅简化表面场器件的分析模型
SOI; RESURF; SIPOS; shielding layer; MEDICI;
机译:具有低导通电阻的三倍减小表面场绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的建模
机译:绝缘体上硅器件的分析热流模型
机译:体硅RESURF器件的表面电势和电场分布的分析模型
机译:使用考虑边缘电场效应的紧凑模型分析栅极失准对双栅极(DG)超薄全耗尽(FD)绝缘体上硅(SOI)NMOS器件阈值电压的影响
机译:绝缘体上多晶硅光子器件中的自由载流子效应。
机译:先进的绝缘体上硅:原子层上沉积的结晶硅沉积氧化铍
机译:具有高kappa / SiO2栅叠层的完全耗尽绝缘体上硅器件中的远程表面粗糙度散射
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管