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半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用

         

摘要

反向击穿电压较高的半导体器件,一般采用台面玻璃钝化工艺,但这种工艺有不少弊端.因此人们一直努力使高耐压半导体器件工艺平面化,而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键.半绝缘多晶硅(SIPOS)的开发几乎与高压平面器件工艺的研究同步.但是由于SIPOS工艺具有一定的难度,普遍应用尚有待时日.文章简要介绍了我们在SIPOS工艺试验与应用方面所做的一些工作.

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