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杨菁菁; 张晋;
杭州电子科技大学理学院;
云南大学物理系;
氟化钡晶体; 质子; 辐照损伤;
机译:γ和24 GeV质子辐照下LSO晶体的辐照损伤。
机译:250 MeV质子辐照后的双极结型晶体管中的损伤分离
机译:150 MeV和24 GeV高通量质子辐照下PWO晶体的辐射损伤效应比较。
机译:用150 MeV质子和1.2 MeVγ射线辐照后,中等重量和轻质无机晶体,玻璃和玻璃陶瓷材料的辐射损伤和恢复
机译:p型氟化钡铜,氟化钡铜硒,氟化钡铜碲和n型氧化锌铟宽带隙半导体的脉冲激光沉积和薄膜特性。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:质子束治疗摇摆式辐照法剂量分布计算精度的提高
机译:质子深度剂量分布:太阳耀斑辐照剂量分布的三维计算。
机译:由计算机实现的获得质子密度分布并获得与desidade质子分布有关的信息的方法
机译:太阳能辐照度概率分布分析方法,太阳能辐照度概率分布分析系统,太阳能辐照度概率分布分析程序,太阳能辐照度归一化统计分析系统,太阳能辐照度归一化统计分析,太阳能辐照度归一化分析,太阳能辐照度归一化分析,
机译:质子辐照的常离型基于GAN的晶体管及其形成方法
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