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高抗辐照氟化钡晶体的生长技术

摘要

本发明给出在氧化气氛炉中生长高抗辐照氟化钡闪烁晶体的新技术。本发明的核心是防止和消除在氧化气氛下可能出现的氧化污染和水解。主要技术有:制备氧离子高度净化的高纯BaF2原料;防止水解和氧化作用的各项技术;如何使用生长氧化物单晶的引下炉和铂坩埚于氟化物晶体等。本发明由于无需掺入Pb等有害杂质,所以制备的晶体抗辐照能力强。并且投资省、成本低,宜于大批量生产大尺寸优质BaF2闪烁晶体。

著录项

  • 公开/公告号CN1023240C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日1993-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN90102828.2

  • 发明设计人 沈定中;殷之文;苏伟堂;潘志雷;

    申请日1990-03-31

  • 分类号C30B29/12;C30B11/02;

  • 代理机构中国科学院上海专利事务所;

  • 代理人聂淑仪

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1996-05-15

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 1993-12-22

    授权

    授权

  • 1991-10-09

    公开

    公开

  • 1991-03-27

    实质审查请求已生效的专利申请

    实质审查请求已生效的专利申请

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