机译:250 MeV质子辐照后的双极结型晶体管中的损伤分离
Northrop Grumman Corp Linthicum Hts MD 21090 USA;
Vanderbilt Univ Dept Elect & Comp Engn 221 Kirkland Hall Nashville TN 37235 USA;
Base recombination; bipolar junction transistor (BJT); charge yield; current gain degradation; damage separation; displacement damage; ionization damage; non-ionizing energy loss (NIEL); proton irradiation; X-ray irradiation;
机译:质子辐射作为双极结型晶体管位移损伤敏感性的屏蔽
机译:3 MeV质子辐照的NPN双极结型晶体管辐射缺陷的演变
机译:3-MeV质子辐照的PNP双极结晶体管的辐射缺陷和退火研究
机译:双极结型晶体管的抗辐照技术研究
机译:4-氢碳化硅中的高压注入-发射极双极结型晶体管和Darlington晶体管。
机译:电化学传感器中场效应晶体管和双极结晶体管作为传感器的比较
机译:中子和γ辐照下商用NpN双极结晶体管的电学特性