Cu2O多晶薄膜的制备与电阻开关效应研究

摘要

采用特殊的电化学制备方法,在铜基片上直接制备了一层微米厚度的氧化亚铜(Cu2O)薄膜.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等手段对样品的形貌和结构进行了常规表征.通过喷涂,在Cu2O表面镀上一层金(Au)膜,制成了Au/Cu2O/Cu器件.进一步研究发现,该器件具有电阻开关效应.研究表明,该方法制备的电阻开关具有较低开关电压、较高阻值比及良好开关稳定性.这为电阻开关的研究提供了新的方向.