Beijing University of Technology Faculty of Information Technology Beijing China;
Temperature distribution; Insulated gate bipolar transistors; Logic gates; Resistance; Proximity effects; Switches; Heating systems;
机译:具有多晶硅调节电阻和沟槽阴极的无回跳快速开关SOI LIGBT
机译:在硬开关和软开关下外延平面和沟槽栅极IGBT以及非外延平面栅极IGBT的关断行为
机译:MOS和双极栅极晶闸管:具有IGBT开关特性的晶闸管
机译:具有多晶硅分布栅极电阻效应的高压IGBT断开仿真研究
机译:栅极控制电阻切换存储器的实验性和仿真研究
机译:不同沉积温度下多晶硅纳米薄膜的压阻灵敏度线性和电阻时间漂移
机译:NpT-IGBT功率模块在不同温度下的开关特性