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公开/公告号CN109111127B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 陕西科技大学;
申请/专利号CN201811088849.3
发明设计人 谈国强;刘云;郭美佑;薛敏涛;任慧君;夏傲;
申请日2018-09-18
分类号C03C17/34(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人徐文权
地址 710021 陕西省西安市未央区大学园1号
入库时间 2022-08-23 12:03:05
机译: 具有记忆效应的薄膜电阻结构的制造方法以及具有记忆效应的薄膜电阻结构
机译: 磁致电阻效应元件和具有磁致电阻效应元件的薄膜磁头
机译: 用于防止组件故障造成的损坏后效应的开关控制器具有开关控制器,该开关控制器具有变压器,控制初级峰值电流的开关晶体管,安全切断电阻和初级绕组
机译:介电弛豫和Bi0.96SR0.04FE0.98CO0.02O3 / COFE2O4薄膜具有不同厚度的BI0.96SR0.04FE0.98CO0.02O3层的电阻和电阻开关
机译:具有不同材料组成特征的薄层结构中的开关电阻的电阻效应分析
机译:Ag / SiO_2 / Pt器件中具有负差分电阻效应的多级单极电阻开关
机译:SrTiO3薄膜的电阻开关效应研究
机译:基于非晶绝缘体-金属薄膜的电阻开关器件。
机译:完全透明和灵敏度可编程的无定形铟 - 氧化锌基氧化物薄膜晶体管的生物传感器平台具有电阻开关存储器
机译:非极性电阻存储器开关,具有所有四种可能的电阻 非晶三元稀土LaHoO3薄膜的开关模式
机译:一种确定具有一个主要薄膜电阻的热交换器核心尺寸的方法,并用实验数据验证