Al_(2)O_(3)/HfO_(2)薄膜多值阻变存储特性

摘要

采用磁控溅射和金属剥离工艺制备结构为P-Si/HfO_(2)/Ti和P-Si/HfO_(2)/Al_(2)O_(3)/Ti的阻变存储器,两器件均表现出双极性电阻转变特性.插入的Al_(2)O_(3)层使得高阻态导电机制从空间电荷限制电流导电向肖特基发射控制导电转变,器件高低阻态阻值比从约61倍提高到约2.15×10^(8)倍.通过限制set电流的方式实现多值存储,器件的4个阻态都能够非常稳定地在85℃高温下保持10^(4) s,有利于多值存储的实际应用.