PCVD法沉积a-Si:H薄膜初始阶段的计算机模拟

摘要

利用Monte Carlo模型研究了用PCVD法沉积a-Si:H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系.该模型考虑了两个成长阶段,即成核阶段和晶核成长阶段;3种动力学过程,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程.模拟结果表明,随着衬底温度的升高,团簇的数目和大小都有所增长,且存在-个最佳温度550K,使团簇的数目达到饱和,晶粒为最大,与实验结果基本相符.