用DC-PCVD法沉积非晶态Si_3N_4薄膜的研究

摘要

硅的氮化物薄膜用DC-PCVD装置沉积,这种装置在沉积过程中仅用直流电源。涂覆用的基体材料是单晶硅、2Cr13不锈钢等。用扫描电镜研究了薄膜的形态,用红外光谱、X射线衍射仪、透射电镜确认了薄膜的成分、结构。这些结果表明:涂覆试样由表面的超硬层,过渡层、基体三部分组成;超硬层主要含非晶态的Si_2N_4;薄膜由许多致密堆积的小球组成。涂覆试样的表面硬度(H_(V0.02))大约是43000～47000 MPa。涂层与基体之间结合力为15N左右。