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第一章绪论
§1.1引言
§1.2低温等离子体技术应用概况
§1.3等离子体化学汽相沉积研究概况
§1.4辉光放电等离子体的理论研究概况
§1.5不同磁场中等离子体化学汽相沉积(PCVD)的机理
§1.6本课题研究的目的和意义
§1.7本论文的研究目标和结构安排
第二章蒙特卡罗模型的建立和磁镜场磁感应强度的计算
§2.1蒙特卡罗模拟方法简介
§2.2蒙特卡罗模型的建立
§2.3磁镜场磁感应强度的空间分布计算
§2.4小结
第三章磁镜场对直流辉光放电等离子体正柱区内电子(离子)输运特性的影响
§3.1引言
§3.2正柱区电场的分布和电子的运动
§3.3电子(离子)到达正柱区末端(始端)或管壁的百分率
§3.4电子(离子)密度的空间分布
§3.5电子(离子)平均能量的空间分布
§3.6在正柱区末端(始端)电子(离子)运动速度方向与电场方向的夹角分布
§3.7在正柱区末端电子能量的分布
§3.8小结
第四章磁镜场对射频辉光放电等离子体正柱区内电子输运特性的影响
§4.1引言
§4.2正柱区内电场的分布和电子的运动
§4.3电子密度的空间分布
§4.4电子平均能量的空间分布
§4.5电子与中性粒子碰撞速率的分布
§4.6电子流密度的分布
§4.7在正柱区末端电子运动速度方向与正柱区轴向夹角的分布
§4.8小结
第五章不同磁场对直流辉光放电等离子体阴极鞘层区内电子(离子)输运特性 的影响
§5.1引言
§5.2阴极鞘层区电场的分布和电子(离子)的运动
§5.3均匀磁场中电子密度的空间分布
§5.4均匀磁场作用下电子到达阴极鞘层边界和管壁的百分率
§5.5在鞘层区边界电子运动速度方向与电场方向的夹角分布
§5.6不同磁镜场下电子(离子)密度的空间分布
§5.7不同磁镜场下电子(离子)在阴极鞘层边界(阴极表面)运动速度方向与 电场方向的夹角分布
§5.8在阴极鞘层边界电子能量的分布
§5.9离子运动速度和平均能量的空间分布
§5.10小结
第六章磁镜场对射频辉光放电等离子体鞘层区电子输运特性的影响
§6.1引言
§6.2鞘层区电场的分布和电子的运动
§6.3电子密度的空间分布
§6.4电子平均能量的空间分布
§6.5电子与中性粒子碰撞速率的分布
§6.6在鞘层区最大边界处电子运动速度方向与电场方向的夹角分布
§6.7小结
第七章磁镜场中等离子体化学汽相沉积薄膜的机理研究
§7.1引言
§7.2 PCVD沉积薄膜的理论模型
§7.3不同磁镜场(不同电子密度分布)下SnO2薄膜沉积速率的分布
§7.4 SnO2薄膜沉积速率分布与反应室内气体压强的关系
§7.5 SnO2薄膜沉积速率分布与反应气体流速的关系
§7.6不同磁镜场下SnCl4反应气体浓度的分布
§7.7 SnCl4反应气体有效利用率与反应气体流速的关系
§7.8小结
第八章磁镜场对PCVD沉积薄膜特性影响的实验研究
§8.1引言
§8.2等离子体化学汽相沉积薄膜的实验装置
§8.3磁镜场的设计和磁感应强度的测量
§8.4 SnO2薄膜的制备过程
§8.5不同磁镜场中SnO2薄膜电阻与基片放置位置的关系
§8.6 SnO2薄膜电阻与基片轴向位置的关系
§8.7 SnO2薄膜电阻与基片加热温度的关系
§8.8 SnO2薄膜电阻与射频电源输出电流的关系
§8.9 SnO2薄膜电阻与薄膜沉积时间的关系
§8.10小结
第九章全文主要结论
参考文献
攻读博士学位期间发表和完成的论文
致谢
华中科技大学;
华中理工大学;
