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硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响

             
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摘要

SO2-4是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和"点籽晶"快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长.实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生"楔化".

著录项

  • 来源
    《功能材料》 |2005年第10期|1505-1508|共4页
  • 作者

    张建芹; 王圣来; 房昌水; 孙洵; 顾庆天; 李毅平; 王坤鹏; 王波; 李云南; 刘冰;

  • 作者单位

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 O782.1;
  • 关键词

    硫酸根; KDP晶体; 晶体生长; 快速生长;

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