快速生长

摘要： 每个季节都有最闪亮的一面,而我最喜欢夏天。夏天,植物快速生长。春日赠予树枝的嫩绿新芽,被夏天的滚滚热浪簇拥着,全都争着抢着使劲向上蹿,仅仅过了几周,树木就已变得枝繁叶茂。再将目光投向池塘。密密层层的荷叶间,隐约可见一个个小巧的荷花骨朵儿,青色的、红色的,还有两三个玲珑的白色“仙女”呢!白荷花看上去害羞极了,不时借着微风躲到荷叶下面。我猜它们是为了避开烈日的炙烤才去“遮阳伞”下乘凉的吧!

摘要： (1)施肥浇水。为了促进新梢快速生长,在6月上旬每亩施入充分腐熟的农家肥3000千克或商品有机肥300千克、尿素15千克左右、磷酸二銭10千克左右,并视土壤墻情浇1次透水。每隔5〜7天喷1次0.5%尿素+0.5%磷酸二氢钾+0.1%光合微肥,提高叶片制造光合产物的能力。

摘要： 玉米苗期的生长发育比较缓慢,但过了苗期就会快速生长,苗期生长发育的好坏不仅决定营养器官的数量和质量还跟以后的营养生长、生殖生长、成熟及产量的高低都有直接的关系。所以,苗期的水肥供给应该适量,不要多给,也不要少给。在此期间加强田间管理,培育壮苗,通过有效的措施来促进苗足、苗齐、苗壮和早发。

摘要： 在赣鄱大地,田中的水稻发育到一定阶段,主茎的各节依靠积聚的养分快速生长,便是"拔节"。自小成长在这片土地上的王强,正在经历他的"拔节期"。他现任武汉科技大学材料与冶金学院副教授,长期研究如何优化金属材料的制备工艺、提高冶炼过程中资源和能源利用效率。"简单来说就是‘冶金数模’,利用数学方法求解冶金过程中的动量。

摘要： 竹子是世界上生长速度最快的植物之一,其快速生长的机制一直是植物学界科研人员颇感兴趣但仍不清楚的科学问题。近日,南京林业大学竹类研究所联合美国康奈尔大学、印度农业科学研究院、国际竹藤中心、江西农业大学与复旦大学等多个研究团队,经过近8年的接力研究,在多个层面综合揭示了毛竹快速生长之谜。

摘要： 随着气温的升高和鱼类快速生长,池塘内残饵粪便大量产生,浮游生物迅速繁殖,从而导致水体中的氨、氮等有害气体增加,含氧量急剧下降,严重影响鱼类生长,甚至是大量死亡,此时安装增氧机显得尤为重要。正确的安装保养与使用增氧机,不仅能延长增氧机的使用寿命,还能提高养殖效率,降低养殖成本,起到事半备拉线固定部分和电气控制部分。

摘要： 美国:草莓量增价减随着草莓产量逐月大幅增加,美国草莓售价呈逐月下降趋势。2022年7月,美国超市的优质草莓售价约为2.20美元/品脱(1品脱约合0.473 L。编者注),低于6月份的价格(2.31美元/品脱)以及5月的价格(2.43美元/品脱)。据美国劳工统计局的数据,7月美国草莓的平均价格比去年同期下降了2%以上。在美国东海岸凉爽多雨的春季之后,5月末和6月初的适宜气温和光照促使草莓快速生长,大量草莓成熟上市。此外,据美国加州草莓委员会称,加州草莓生产也迅速恢复,产量大幅增长,造成草莓集中供应而压低了价格。

摘要： 一项针对29个欧洲湖泊的研究发现,相比树叶和树枝等自然物质,一些湖泊细菌在塑料袋残留物上的生长速度更快、效率更高。这种细菌会分解塑料中的碳化合物,作为它们的食物。科学家表示,在水中添加特定种类的细菌可能是消除环境中塑料污染的一种干预方式。这一效果是很明显的:尽管塑料污染使湖水中的整体碳含量仅增加了4%,但细菌的生长速度却增加了1倍多。研究表明,湖泊中的塑料污染正在“引发”细菌快速生长——细菌不仅能分解塑料,还能更有效地分解湖泊中的其他天然碳化合物。

摘要： 秋季水温适宜,是鱼生长旺季。为把握有利时期,促进鱼种健康快速生长,使来年获得量多质好的大规格鱼种,应切实做好秋季鱼种管理工作。1.转池清塘鱼种在池塘经过2~3个月的培育,水质一般已老化,池内底质往往产生大量有害物质的沉积,酸性偏高,有害气体及病原菌增多。因此,入秋后应将鱼种转入经过清塘消毒的池塘进行培育。

摘要： 春天到了,万物复苏,玉米也不甘落后,尤其经过一场春雨洗礼之后,玉米更是疯狂地快速生长。今天,让我们一起来欣赏一首关于玉米的有趣童诗吧!

摘要： 本文用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上进行了SiC的快速外延生长.对得到的SiC外延膜用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)进行了分析.探讨了生长速度与反应气体流量的关系,HCl在反应过程中的机理,以及在快速生长条件下,外延膜的结晶和取向关系.

摘要： 世界上首例转基因鱼在中国诞生,至今已近20年.研究者已经获得了几种遗传稳定的重要水产养殖转基因鱼品系.转"全鱼"生长激素基因鱼具有快速生长与高的食物转化效率的特性.转基因鱼有望在转基因动物中率先实现市场化,然而也提出了转基因鱼的生态安全与食品安全关心.本文对快速生长转基因鱼的主要研究进展及生物安全考虑作一简要评述。

摘要： 在较快的MBE 沉积速率(1.0 ML/秒)下制备InAs/GaAs(001)自组装量子点,用原子力显微镜观察量子点密度和结构随InAs 有效沉积量的变化.实验结果证明,在InAs/GaAs(001)体系中,量子点自组装生长是非常快的过程,至少可以在小于10-4-10-5秒的时间内完成;量子点密度与有效沉积量的关系为指数形式.另外还证明,量子点自组装生长并不是一个受限于原子扩散长度的局域事件,至少涉及了几个平方微米的范围.这些实验结果表明量子点自组装生长过程并非是通常所认定的那样是通过表面原子(adatom)的扩散和聚集等运动逐步完成的,而可能是大量原子同时集体动作的结果.本文提出了新的模型解释量子点自组装现象.

摘要： 在较快的MBE 沉积速率(1.0 ML/秒)下制备InAs/GaAs(001)自组装量子点,用原子力显微镜观察量子点密度和结构随InAs 有效沉积量的变化.实验结果证明,在InAs/GaAs(001)体系中,量子点自组装生长是非常快的过程,至少可以在小于10-4-10-5秒的时间内完成;量子点密度与有效沉积量的关系为指数形式.另外还证明,量子点自组装生长并不是一个受限于原子扩散长度的局域事件,至少涉及了几个平方微米的范围.这些实验结果表明量子点自组装生长过程并非是通常所认定的那样是通过表面原子(adatom)的扩散和聚集等运动逐步完成的,而可能是大量原子同时集体动作的结果.本文提出了新的模型解释量子点自组装现象.

摘要： 在较快的MBE 沉积速率(1.0 ML/秒)下制备InAs/GaAs(001)自组装量子点,用原子力显微镜观察量子点密度和结构随InAs 有效沉积量的变化.实验结果证明,在InAs/GaAs(001)体系中,量子点自组装生长是非常快的过程,至少可以在小于10-4-10-5秒的时间内完成;量子点密度与有效沉积量的关系为指数形式.另外还证明,量子点自组装生长并不是一个受限于原子扩散长度的局域事件,至少涉及了几个平方微米的范围.这些实验结果表明量子点自组装生长过程并非是通常所认定的那样是通过表面原子(adatom)的扩散和聚集等运动逐步完成的,而可能是大量原子同时集体动作的结果.本文提出了新的模型解释量子点自组装现象.

摘要： 在较快的MBE 沉积速率(1.0 ML/秒)下制备InAs/GaAs(001)自组装量子点,用原子力显微镜观察量子点密度和结构随InAs 有效沉积量的变化.实验结果证明,在InAs/GaAs(001)体系中,量子点自组装生长是非常快的过程,至少可以在小于10-4-10-5秒的时间内完成;量子点密度与有效沉积量的关系为指数形式.另外还证明,量子点自组装生长并不是一个受限于原子扩散长度的局域事件,至少涉及了几个平方微米的范围.这些实验结果表明量子点自组装生长过程并非是通常所认定的那样是通过表面原子(adatom)的扩散和聚集等运动逐步完成的,而可能是大量原子同时集体动作的结果.本文提出了新的模型解释量子点自组装现象.

摘要： 将具有环形永磁铁31的辅助阳极30放置在真空室11中，使辅助阳极和炉20的中心轴同轴且使其围绕着炉的上面的区域放置。将由使用弧光放电的等离子束发生器13产生的等离子束引入炉中。在炉中将镁用作汽化材料。向真空室中提供和氧混合的气体，因此，由炉中升华的氧化镁粒子和由等离子体产生的氧等离子体起反应以在基片40上形成氧化镁(MgO)膜。

摘要： 将具有环形永磁铁31的辅助阳极30放置在真空室11中,使辅助阳极和炉20的中心轴同轴且使其围绕着炉的上面的区域放置。将由使用弧光放电的等离子束发生器13产生的等离子束引入炉中。在炉中将镁用作汽化材料。向真空室中提供和氧混合的气体,因此,由炉中升华的氧化镁粒子和由等离子体产生的氧等离子体起反应以在基片40上形成氧化镁(MgO)膜。

摘要： 本申请公开了一种固定籽晶的装置、生长装置及晶体快速生长的方法所述固定籽晶的装置包括载晶片和晶架平台；所述载晶片上固定有籽晶；所述载晶片放置在晶架平台上，使晶体生长。在快速生长KDP类晶体下种过程使用，简单快速，不破坏生长溶液稳定性，可顺利快速生长出大尺寸KDP类晶体，晶体长成脱离晶架不会破坏晶架表面价格昂贵涂层。具有很好的普适性。

摘要： 本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法。采用富C工艺(Si/H2＝0.97‰，C/Si＝1.55)进行外延层高速生长，生长气氛中保持较高的C源相对化学势μC可以实现外延生长时优先吸附的生长单体为SiC分子，将生长台阶高度稳定在1/2c或1c，在实现高速外延生长的同时，得到较好的表面粗糙度和较低的离化掺杂浓度。

摘要： 本发明公开了一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置，由炉体、石墨底座、PBN坩埚和提升装置组成；所述炉体包括6个加热区域和控制加热区域温度的6个温控装置，从下到上依次为第一区、第二区、第三区、第四区、第五区和第六区；石墨底座通过支撑底座设置于地面上；PBN坩埚设置于石英安瓶内，石英安瓶设置于石墨底座上；提升装置与炉体连接，能够拉动炉体以一定的拉速提升；炉体与PBN坩埚之间设置有石英罩，石英罩与支撑底座连接。不但能生长超低位错的晶体，而且放肩时间缩短20%，等径生长时间缩短50%，大大提高了生长效率。

摘要： 本发明涉及一种磷化铟晶体的快速生长装置及生长方法，包括：生长筒、入料机构以及过滤盘；所述生长筒顶部设置有护板，所述护板内侧设置有抵持件，所述抵持件端部固定连接有过滤盘，所述过滤盘上方设置有入料机构，所述过滤盘底部设置有进料筒，所述进料筒底部设置有转盘，所述转盘设置在所述生长筒内侧，所述转盘与所述生长筒同轴心设置；所述生长筒外侧设置有防护架，所述防护架底部设置有垫板，所述垫板底部设置有支架，所述支架上设置有电机，所述电机一端配合连接至转盘，所述生长筒内壁设置有加热件，所述生长筒底部设置有出料口，通过竖直方向层叠方式设置的入料机构与过滤盘能够将磷化铟晶体中的杂质进行过滤，使得进入进料筒内的磷化铟晶体的纯度较高，保证磷化铟晶体的高纯度。

摘要： 本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法。采用富C工艺(Si/H2＝0.97‰，C/Si＝1.55)进行外延层高速生长，生长气氛中保持较高的C源相对化学势μC可以实现外延生长时优先吸附的生长单体为SiC分子，将生长台阶高度稳定在1/2c或1c，在实现高速外延生长的同时，得到较好的表面粗糙度和较低的离化掺杂浓度。

摘要： 本申请公开了一种固定籽晶的装置、生长装置及晶体快速生长的方法所述固定籽晶的装置包括载晶片和晶架平台；所述载晶片上固定有籽晶；所述载晶片放置在晶架平台上，使晶体生长。在快速生长KDP类晶体下种过程使用，简单快速，不破坏生长溶液稳定性，可顺利快速生长出大尺寸KDP类晶体，晶体长成脱离晶架不会破坏晶架表面价格昂贵涂层。具有很好的普适性。

摘要： 本发明叙述了一种用含有猪生长激素全长cDNA或相关基因的重组腺病毒相关病毒(AAV)颗粒对小猪进行一次性体内肌肉注射为基础的促进猪快速生长的办法。这种重组AAV病毒将生长激素基因导入猪的肌肉细胞中,持续表达生长激素蛋白并分泌到体液中,从而达到促进猪快速生长的目的。

摘要： 本实用新型属于晶体生长领域，涉及一种快速生长无包裹物碳化硅单晶的生长室，生长室内壁顶部设有籽晶托，生长室内部套有与生长室同轴且顶端低于生长室顶端的内筒，所述的内筒由石墨滤网围绕而成；内筒顶端外沿与生长室内壁之间设有石墨滤网；所述的石墨滤网两侧表面均涂有耐高温金属化合物涂层；所述的耐高温金属化合物涂层选自稀有金属的碳化物或稀有金属的氮化物或其混合物；所述的稀有金属选自钽或铪或铌或钛或锆或钨或钒。本实用新型结构简单，使用方便，采用本实用新型，可以较好的阻挡C颗粒的输送，同时保证碳化硅升华产生气体的快速通过，这样既去除了碳化硅单晶中的包裹物，又保证了碳化硅单晶的正常、快速生长，可以广泛推广和应用。