SiC缓冲层用于改善硅基氮化镓薄膜的质量研究

朱华超; 满宝元; 庒惠照; 刘玫; 薛成山

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SiC缓冲层用于改善硅基氮化镓薄膜的质量研究

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用脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积GaN薄膜,为了减小Si衬底与GaN薄膜之间的热失配和晶格失配引入SiC缓冲层.脉冲激光沉积后的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在950℃下退火15min.得到结晶的GaN薄膜.并用X 射线衍射、原子力显微镜、傅立叶红外吸收谱、光致发光谱研究了SiC缓冲层对GaN薄膜的结晶、形貌和光学性质的影响.

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来源
《功能材料》 |2008年第2期|247-249|共3页
作者
朱华超; 满宝元; 庒惠照; 刘玫; 薛成山;
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作者单位

山东师范大学,物理与电子科学学院,山东,济南,250014;

山东师范大学,物理与电子科学学院,山东,济南,250014;

山东师范大学,物理与电子科学学院,山东,济南,250014;

山东师范大学,物理与电子科学学院,山东,济南,250014;

山东师范大学,物理与电子科学学院,山东,济南,250014;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类功能材料;
关键词
脉冲激光沉积; 氮化镓薄膜; 碳化硅缓冲层; 退火;

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