用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长

摘要

用化学气相沉积方法对Si（111）衬底进行碳化处理，继而生长SiC外延层和应变Si薄膜。结果表明1100℃的碳化温度可以有效降低Si与SiC薄层界面处的空洞，得到较平整的SiC薄层，在此条件下生长了高质量的SiC薄膜。在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变Si薄膜，其霍尔迁移率明显高于具有相同掺杂浓度的体Si材料，电学性质得到了有效改善。