用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长

摘要

用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SiC外延层和应变Si薄膜。结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的SiC薄层,在此条件下外延生长了高质量的SiC薄膜。在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变Si薄膜,其霍尔迁移率明显高于相同掺杂浓度的体Si材料,电学性能得到了有效改善。