65 nm工艺节点下的光刻掩模版优化算法

摘要

在模拟退火算法中引入了准梯度的概念,改进了以模拟退火算法为基础的光刻掩模版优化算法.该算法优先搜索由准梯度确定的关键区域,减少了模拟退火算法的无效搜索次数,在保证优化效果的基础上,可以提高原算法的收敛效率.实验结果表明,在65 nm CMOS工艺节点下,该算法使得收敛速度大幅提高,优化效果更好.