「65nmノードに向けたリソグラフィ技術開発② －光リソグラフィとLEEPLの使い分けによる微細化の推進－」

摘要

90nm世代のデバイスは今年(2003年)から本格的に量産が開始され、クリティカル層においてはArFリソグラフィの真価が発揮されている。 一方、65nm世代デバイスの開発1)，2)は、まさに佳境に入っており、デバイスインテグレーション技術、モジュール技術、個別プロセス技術の各領域で完成度向上に向けたワークがなされている。 リソグラフィ分野においては、高解像度化とともに転写線幅の均一性やマージンを向上させる露光や塗布現像の装置技術、位相シフトマスク露光法や高性能な光近接効果補正(OPC)/プロセス近接効果補正(PPC)技術、測定技術、マスク技術、レジストをはじめとする材料技術の開発が続けられている。 また、最終的には、プロセスマージン·歩留りを確保させるこのような要素技術の早期実用化のほか、リソグラフィ、エッチング、成膜、CMPと組み合わせたモジュール技術のなかで個別プロセス間でのエラーバジェット配分をいかに最適化するかということも、プロセス設計においては重要事象となっている。