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减少光刻工艺中掩模版的加热和/或冷却的影响的方法

摘要

本发明涉及减少光刻工艺中的掩模版加热和/或冷却的影响的方法,包括步骤:使用系统辨识方法来校准线性时不变掩模版加热模型;使用所述掩模版加热模型和光刻工艺中的输入来预测掩模版的变形;和基于所预测的掩模版的变形来计算和应用光刻工艺中的校正。

著录项

  • 公开/公告号CN108292105A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;

    申请/专利号CN201680068476.6

  • 发明设计人 N·肯特;M·J·H·吕蒂克霍夫;

    申请日2016-08-26

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人胡良均

  • 地址 荷兰维德霍温

  • 入库时间 2023-06-19 05:57:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20160826

    实质审查的生效

  • 2018-07-17

    公开

    公开

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