一种基于衬底偏置的超低压CMOS运算放大器

张海军; 杨银堂; 朱樟明; 张宝君

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一种基于衬底偏置的超低压CMOS运算放大器

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本文研究了基于衬底偏置MOSFET的阈值电压可调节特性及其低压特性,通过对所有MOSFET衬底偏置设计实现了超低压两级运算放大器.在0.8V的电源电压下,该运放的直流开环增益为89dB,相位裕度为67(,失调电压约为737.5μV,其单位增益带宽(GB)为440kHz,输入共模范围为65.3～734.1mV,输出电压范围为53.3～737.3mV.

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来源
《电路与系统学报》 |2006年第1期|12-15|共4页
作者
张海军; 杨银堂; 朱樟明; 张宝君;
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作者单位

西安电子科技大学,微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
衬底偏置; 超低压; 运算放大器; CMOS;

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