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基于CMOS工艺的低压运算放大器

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本发明涉及一种基于CMOS工艺的低压运算放大器。它含有：三个偏置电流设置PMOS管、一个PMOS差分输入对、两个由NMOS管组成的电流镜、一个由PMOS管组成的电流镜和两个工作在亚阈值区的电平移位PMOS管。本发明的低压运算放大器结构新颖、电路简单，消除了NMOS器件的阈值电压必须大于寄生PNP管的发射极基极电压V

著录项

公开/公告号CN102006022B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-16

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第二十四研究所;
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申请/专利号CN201010582102.0
发明设计人谭旻;刘凡;
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申请日2010-12-09
分类号
代理机构
代理人
地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
入库时间 2022-08-23 09:18:40

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-04-16

授权

授权
2011-05-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H03F 3/45 申请日:20101209

实质审查的生效
2011-04-06

公开

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