扫描隧道显微学在薄膜量子生长中的应用

摘要

按照量子力学教科书上对一维方势阱中粒子运动的描述，理想情况下，电子受限于厚度均一的薄膜中时，在垂直于薄膜的方向上其能级会量子化，形成驻波形式的能量本征态（或称为量子阱态），这类似于光学中的法布里一玻罗干涉现象。这种干涉对薄膜的厚度和平整度十分敏感，能显著地改变费米能级附近的电子态密度，所以会从本质上影响薄膜材料的物理和化学性质。半导体或绝缘体衬底上的金属薄膜材料是一个理想的一维方势阱体系。在这种体系中，