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吴松; 陶波; 沈永平; 王琦;
浙江大学化学系 杭州 310027;
有机金属化学气相沉积; 铜薄膜; 单晶硅(100); 沉积反应机理;
机译:低压化学气相沉积法在3C-SiC(100)/ Si外延层上形成单晶硅薄膜
机译:以CupraSelect为前驱体研究TiN衬底上热和热线化学气相沉积铜薄膜
机译:单晶硅上的铜薄膜中的机械应力
机译:钇 - 钡(,2)铜(,3)氧气(,7Δ)和镧(,1.85)锶(,0.15)铜 - 氧(,4)超导薄膜(,4)超导薄膜(,3)铜(,3)铜(,3)铜(,3)氧化液(,1.85)铜(,4)超导薄膜(4)超导薄膜(,4)超导薄膜电感的实验研究
机译:常压等离子体化学气相沉积法生长掺锌铜的抗菌氧化硅薄膜
机译:通过新型低温喷雾化学气相沉积法研究ag纳米颗粒薄膜的尺寸和密度,研究其机理,颗粒生长和光学模拟
机译:单晶硅上LpCVD(低压化学气相沉积)钨膜隧道形成条件
机译:单晶硅薄膜的制造方法,单晶硅薄膜装置的制造方法,太阳能电池装置的制造方法,单晶硅薄膜,以及单晶硅薄膜单晶硅薄膜
机译:用于形成有机化学气相沉积铜薄膜的解决方案原始材料以及由其制成的铜薄膜
机译:用于形成有机化学气相沉积的铜薄膜和由同一材料制成的铜薄膜的解决方案原始材料
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