常压化学气相沉积法在玻璃上制备TiSi2薄膜的研究

摘要

高导电性TiSi2薄膜对低频电磁波有高反射率.在玻璃基片上成功制备TiSi2薄膜有望开发形成一种新型低辐射镀膜玻璃.本文结合工业在线和大面积生产的特点,以常压化学气相沉积法研究了TiSi2在玻璃基板上生长、制备及其与性能间的关系.研究发现:反应在温度低于680℃时,为反应控制;在高于680℃时,为传质控制.在700℃,Si/Ti摩尔比为3时,生成的TiSi2为低电阻的正交面心晶型(C54)TiSi2.Ti5Si3相和Si相的存在,对薄膜电阻的降低不利.TiSi2晶相含量越多,结晶越好,则电阻越小。