纳米石墨烯微通道板的场发射特性

摘要

纳米石墨烯丰富的尖端和缺陷能够提高材料的场发射性能.然而其与衬底的粘附性差导致在场发射过程中容易发生真空间隙击穿,引起器件失效.本文采用新颖的溶剂热渗碳方法制备了纳米石墨烯包覆硅微通道板,形成石墨烯微通道板(MLG-MCPs).纳米石墨烯的表面形貌和晶体机构由Raman和TEM进行表征,MLG横向尺寸50～100 nm,呈涟漪和褶皱形状,具有较高的结晶度.场发射测试结果显示800℃退火能增加缺陷密度,降低功函数,开启电场降至2.0 V/μm(10μA/cm2),显示了较好的场发射特性.