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METHOD FOR ENHANCING FIELD EMISSION PROPERTY OF ZnO NANOWIRES AND METHOD FOR ENHANCING FIELD EMISSION PROPERTY OF DEVICES USING ZnO NANOWIRES BY APPLYING DC VOLTAGE

机译:ZnO纳米线的场发射特性的增强方法和ZnO纳米线通过施加直流电压来增强器件的场发射特性的方法

摘要

The present invention relates to a method for improving the electron emission capability of zinc oxide nanowires and a method for improving the electron emission capability of a device using zinc oxide nanowires. The present invention can provide a method for producing zinc oxide nanowires that can be utilized as a material for field emission electron emission sources, and also provides a low DC voltage without the need for a complicated device or configuration for devices using zinc oxide nanowires. By applying this method, it is possible to provide a method for improving the electron emitting ability efficiently and economically.;Zinc Oxide Nanowire, Electron Emission Source, DC Voltage, Electron Emission Capability
机译:本发明涉及用于提高氧化锌纳米线的电子发射能力的方法和用于提高使用氧化锌纳米线的器件的电子发射能力的方法。本发明可以提供一种生产氧化锌纳米线的方法,该方法可以用作场发射电子发射源的材料,并且还可以提供低的直流电压,而不需要复杂的装置或使用氧化锌纳米线的装置的构造。通过应用该方法,可以提供一种有效而经济地提高电子发射能力的方法。氧化锌纳米线,电子发射源,直流电压,电子发射能力

著录项

  • 公开/公告号KR101072262B1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20090008621

  • 发明设计人 최영진;배준호;심이레;박미나;

    申请日2009-02-03

  • 分类号B82B3;C01G9/02;B82Y40;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:49:38

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