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优化ZnO薄膜场发射特性的膜厚调制方法

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摘要

本发明公开了一种优化ZnO薄膜场发射特性的膜厚调制方法，该方法选择Si做衬底，金属锌靶做靶材；用氨水、双氧水和去离子的混合液煮沸衬底后用去离子水将衬底冲洗干净；然后依次用甲苯、丙酮和乙醇溶液超声清洗衬底，再将衬底Si送入射频磁控溅射仪；抽真空，调整背底真空度，Ar和O

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-11-16

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 授权公告日:20120321 终止日期:20150928 申请日:20080928

专利权的终止
2012-03-21

授权

授权
2009-06-17

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-04-22

公开

公开

1. 优化ZnO薄膜场发射特性的膜厚调制方法 [P] . 中国专利： CN101413105B . 2012.03.21
2. 一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法 [P] . 中国专利： CN102226294B . 2012.11.21
3. Process for producing semiconductor device, apparatus for optimizing film thickness, and process for optimizing film thickness [P] . 美国专利： US6218313B1 . 2001-04-17

机译：半导体装置的制造方法，膜厚最优化装置以及膜厚最优化方法
4. MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, FILM THICKNESS OPTIMIZATION DEVICE AND FILM THICKNESS OPTIMIZATION METHOD [P] . 日本专利： JPH1174176A . 1999-03-16

机译：半导体装置的制造，膜厚优化装置及膜厚优化方法
5. A GROWING METHOD OF DIAMOND FILM WITH IMPROVED FIELD EMISSION CHARACTERISTICS THROUGH ION IMPLANTATION AND SUBSEQUENT GROWTH [P] . 韩国专利： KR20090086651A . 2009-08-14

机译：通过离子注入和随后生长改善了场发射特性的金刚石膜的生长方法