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贺莉; 纪跃芝; 刘国彩;
长春工业大学基础科学学院;
泰山学院数学系;
载流子浓度; 数值计算; 混合掺杂;
机译:深取代掺杂物的激发态对半导体中多数载流子浓度的影响
机译:重掺杂半导体材料中载流子浓度的无损测量及其在薄表面层中的应用
机译:半导体表面的空间电荷,电场和自由载流子浓度的扩展曲线,以及半导体内部的静电势曲线
机译:计算自由载流子浓度和掺杂载流子浓度的双栅极MOSFET的表面电势
机译:顺序掺杂制备的分子掺杂半导体聚合物的物理性质
机译:微截面半导体纳米棒内生长扇区和局部载流子浓度的任意截面SEM-阴极发光成像
机译:高载流子浓度下高迁移率无序半导体中跃迁和能带传输之间的相互作用:非晶氧化物InGaZnO的情况
机译:通过提高as4 / as2流量比增强分子束外延si和Be掺杂Gaas中载流子浓度和空间限制
机译:用于制备和掺杂半导体表面的掺杂混合物,包括用于掺杂半导体表面的p型或n型掺杂剂,水和两种或多种表面活性剂的混合物,其中一种表面活性剂是非离子型表面活性剂
机译:半导体器件的相对掺杂区之间的界面中载流子浓度的控制
机译:半导体器件和用于制造在多个载流子浓度峰值位置处具有最大载流子浓度的半导体器件的方法
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