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提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法与应用

摘要

本发明公开了一种提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法及其应用。该提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法,包括如下步骤:提供锗衬底、采用离子注入法在所述锗衬底中注入N型杂质离子、对锗衬底进行退火处理、重复进行在锗衬底中注入N型杂质离子和退火处理的步骤。该提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法通过对锗衬底进行离子注入/退火处理的循环工艺可以有效控制并降低锗材料的缺陷密度,防止掺杂离子的扩散,使得掺杂离子的激活率高,可以完全被激活,提高掺杂载流子浓度。因此,该提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法可以用于制备含锗材料器件。

著录项

  • 公开/公告号CN103456611A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳信息职业技术学院;

    申请/专利号CN201310070581.1

  • 发明设计人 周志文;

    申请日2013-03-06

  • 分类号H01L21/265;H01L21/324;

  • 代理机构深圳中一专利商标事务所;

  • 代理人张全文

  • 地址 518172 广东省深圳市龙岗区龙翔大道2188号

  • 入库时间 2024-02-19 22:05:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-19

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/265 申请公布日:20131218 申请日:20130306

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-01-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/265 申请日:20130306

    实质审查的生效

  • 2013-12-18

    公开

    公开

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