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谈鸿恩; 庄志强;
华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510640;
压电陶瓷; PMN-PT; 相结构; 介电; 铁电; 掺杂;
机译:Sn含量对分相相界附近Pb(Zr0.35Ti0.65)(1-x)SnxO3陶瓷介电,压电和铁电性能的影响
机译:形态相界附近的PMN-PT陶瓷相变研究
机译:钕掺杂Babi_4O_(15)分层陶瓷的介电相过渡和铁电性能
机译:形态相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO3铁电陶瓷的介电性能
机译:晶粒尺寸对锆钛酸铅基陶瓷的相变相界附近的成分的介电和压电性能有影响。
机译:(Nb + In)共掺杂TiO2陶瓷中晶界电容对巨大介电常数影响的证据
机译:用机械和介电谱分析BnmT-BT无铅陶瓷在准同型相界附近的相变
机译:pzt中的单斜相:在准同型相界上的新光
机译:检查物质在类视黄醇x受体上影响同型二聚体形成的能力的方法,检查物质在类视黄醇受体x上选择性诱导异二聚体形成的能力的方法,检查物质在类视黄醇x受体上影响同型二聚体能力的能力。类维生素A受体x,与dna结合,检查响应元件与类维生素A受体x的同二聚体,类维生素a受体x的同二聚体,双环芳族化合物的结合能力,抑制对类维生素a受体x的异二聚体活性的过程,促进细胞中类视黄醇受体上同二聚体激活基因的转录,抑制类视黄醇受体x上同二聚体活性的过程,确定病理可能性增加的过程,治疗病理学的过程,在类视黄醇受体x上主动选择性形成同型二聚体的过程细胞,促进细胞中类维生素A受体x上同型二聚体形成的过程,药物
机译:B-TGG PMN-PT B-TGG纹理PMN-PT基压电陶瓷压电元件及其制造方法
机译:具有公共沟道停止器和具有沟道停止器掺杂的FET沟道掺杂的场效应晶体管(FET)的制造方法,该沟道停止器掺杂与FETS之间的介电隔离自对准
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