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罗益民; 陈振华; 黄培云;
中南大学,物理科学与技术学院,湖南,长沙,410083;
湖南大学,材料科学学院,湖南,长沙,410082;
中南大学,粉末冶金研究院,湖南,长沙,410083;
离子注入; Si1-xGex/Si异质结; 退火行为; X射线衍射;
机译:超声退火p-Si / n-CdS / n(+)-CdS注入光电二极管异质结中的表面状态
机译:1950℃注入后退火的Al +注入4H-SiC层和Al +注入4H-SiC p-n结的结构和功能表征
机译:通过优化激光退火降低半导体异质结中注入结整流器的深度
机译:长波长堆叠式Si1-x Gex / Si异质结内部光发射红外探测器
机译:硅基异质结的电子性质研究:a-Si:H / c-Si和GaP / Si异质结的第一个原理研究
机译:电子MEMS和LED应用中经过高温退火的n-3C-SiC / p-Si异质结的出色整流性能
机译:氢注入的Si1-x Gex / Si(100)异质结构的应变松弛机制
机译:si1-x Gex / si异质结中局部应变变化的测量
机译:利用分子束外延在Si上具有Gex x Si1-x层的半导体异质结构
机译:SiGe异质结双极晶体管和形成SiGe异质结双极晶体管的方法
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