低温生长SiO2膜的性质及其在SiGe／Si HBT研制中的应用

徐晨; 邹德恕

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低温生长SiO2膜的性质及其在SiGe／Si HBT研制中的应用

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用磁控溅射ＳiＯ２膜作为台面ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的表面保护纯化膜和光刻掩膜，测试分析了溅射工艺对ＳｉＯ２膜的性质和ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ性能的影响。研究发现，较高的衬底温度（２００℃）有得于改善ＳｉＯ２膜的质量。用溅射ＳｉＯ２方法制备的ＨＢＴ的电流增益明显高于用热分解正硅酸乙脂方法淀积ＳiＯ２制备的ＨＢＴ。这说明溅射法避免了高温引起ＳｉＧｅ制备的ＨＢＴ，这说明溅射法避免了高温引起ＳｉＧｅ层就驰豫所

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来源
《北京工业大学学报》|1999年第4期|45-48|共4页
作者
徐晨; 邹德恕;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.21;
关键词
磁控溅射; SiGe／Si; HBT; 低温生长; 二氧化硅膜;
入库时间 2023-07-25 15:11:35

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