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薛晓晚; 杨影影; 秦圆; 吴爱民; 王旭东; 黄昊; 姚曼;
大连理工大学材料科学与工程学院,大连 116024;
重掺杂; 绝缘体-金属转变; 临界浓度; 中间带; 第一性原理;
机译:重掺杂硅(Si:B)中的相分离和热诱导的金属-绝缘体转变
机译:硅中CoSi_2沉淀对极低掺杂浓度的敏感性。 Ⅱ。第一性原理计算
机译:从第一性原理计算二氧化钒中相关的金属-绝缘体转变
机译:v / III助焊比和Si-掺杂浓度对蓝宝石底物上的金属化学 - 气相沉积种植的甘掺杂浓度
机译:高临界转变温度超导体的光发射研究:掺杂依赖性,费米表面,超导间隙和金属-超导体界面。
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机译:掺杂的mott绝缘体的金属 - 绝缘体转变附近的临界行为
机译:硅太阳能电池重掺杂表面的电离掺杂浓度
机译:电子设备,包括掺杂区的掺杂浓度高于通道区域的掺杂浓度的电子设备及其制造方法
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机译:增加Si和SiGe膜中碳和硼掺杂浓度的方法
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