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公开/公告号CN101490848B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-25
原文格式PDF
申请/专利权人 韩国电子通信研究院;
申请/专利号CN200780026488.3
发明设计人 金铉卓;金俸准;蔡秉圭;尹善真;崔诚烈;李熔旭;林贞旭;崔相国;姜光镛;
申请日2007-05-30
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人李芳华
地址 韩国大田市
入库时间 2022-08-23 09:10:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-07-25
授权
2009-09-16
实质审查的生效
2009-07-22
公开
机译: 突然的金属-绝缘体过渡MIT装置,使用同一突变MIT装置的MIT传感器以及包括该MIT传感器的报警装置和二次电池防爆电路
机译: 连续测量不连续金属绝缘体转变(MIT)的电路和使用相同电路的MIT传感器
机译: 连续测量MIT元素和MIT传感器的不连续金属绝缘体转变的电路
机译:VO_2和可编程临界温度传感器中一阶金属-绝缘体转变的温度依赖性
机译:VO2纳米线热敏电阻中基于金属-绝缘体转变的气体传感器
机译:基于VO_2中金属-绝缘体转变的电可编程光子晶体平板
机译:纳米金属氧化物 - 金属装置结构中VO2薄膜的电驱动金属绝缘体转变
机译:使用三维周期性壳模型和DV-X(α)簇方法在二氧化钒和二氧化钛中进行金属-绝缘体转变(日语,日语)。
机译:超薄溅射金属对酚醛树脂薄膜的金属绝缘体转变:生长形态与表面自由能和反应性的关系
机译:Hubbard模型中的金属 - 绝缘体转变:简单描述 包括近藤效应
机译:导电聚合物中的绝缘体 - 金属转变和非均匀金属态