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李根; 孟庆元; 杨立军; 李成祥;
哈尔滨工业大学航天工程与力学系,哈尔滨,150001;
分子动力学; 位错;
机译:叶片形位错和螺旋位错与错位错的位错核心相互作用:分子动力学分析
机译:优化错配位错滑行动力学,通过动态生长速率控制降低 Si 1-x Ge x /Si(001) 层的螺纹位错密度
机译:Si晶体中60°位错location灭的分子动力学模拟
机译:硅晶体中60°位错的新型分子动力学研究
机译:环三亚甲基三硝胺中的晶格缺陷和位错介导的可塑性:分子动力学研究。
机译:错配位错从缓冲区/ Si接口传播到Si中
机译:焊接填充材料和钢,含0.05-0.14%C; 8-13%Cr; 1-2.6%Ni; 0.5-1.9%Mo; 0.5-1.5%Mn; 0.15-00.5%Si; 0.2-0.4%V; 0-0.04%B,2.1-4%Re; 0-0.07%Ta,0-60 ppm Pd
机译:Ge在Si上通过薄的SiO2层进行自定向触地,从而在Si上实现无螺纹位错的纳米异质外延
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