位错属于《中国图书分类法》中的四级类目，该分类相关的期刊文献有18篇，学位文献有1篇等，位错的主要作者有张泽、卢艳、王立华，位错的主要机构有北京工业大学固体微结构与性能研究所、中国科学院研究生院、浙江大学硅材料国家重点实验室等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、
1.[期刊]
Effects of Germanium on Movement of Dislocations in p-Type Czochralski Silicon
摘要： By indentation at room temperature followed by annealing at high temperatures, ...
2.[期刊]
摘要： 利用结合了相场微弹性理论和位错派纳模型的相场方法,数值模拟研究了面心立方晶体铝和铜中剪切应力下扩展位错穿越孔洞和夹杂相的过程.相场微弹性理论用来计算位错和孔洞...
3.[期刊]
摘要： 孪晶结构的金属纳米线因具有优异的力学性能而受到广泛关注,然而之前的研究对象都为孪晶界垂直于纵轴的孪晶结构纳米线.本文采用分子动力学模拟的方法,研究了孪晶界平行...
4.[期刊]
摘要： 本文使用Stillinger-Weber势函数和周期性边界条件,通过在原子尺度上的分子动力学计算研究了60°位错的位错心能量和运动情况.首先提出了相对简单的建...
5.[期刊]
Modeling core-spreading of interface dislocation and its elastic response in anisotropic bimaterial
摘要： Interfacial dislocation may have a spreading core corresponding to a weak shear...
6.[期刊]
摘要： 对红宝石晶片进行了偏振光的干涉研究,用KOH化学腐蚀后,在显微镜下观察了晶体中的位错形貌及分布.
7.[期刊]
摘要： 利用激光分子束外延方法在(001)SrTiO3衬底上制备庞磁电阻La0.8Sr0.2MnO3薄膜.发现高密度、尺度均匀的纳米聚集物弥散地分布在La0.8Sr0...
8.[期刊]
InGaN/GaN量子阱结构的应变状态与微结构、物理性能关系的研究
摘要： 应变普遍存在于失配系统中,包括晶格、热膨胀系数以及扩散系数等失配,其状态即应变是否弛豫及弛豫程度与物理性能密切相关.量子阱或超晶格的晶格应变弛豫发生的临界厚度...
9.[期刊]
摘要： 本文利用高角环形暗场成像技术获得六角Cr2Ta Laves相的重原子分辨的原子序数(Z)衬度像,阐述了在相近分辨率情况下Z衬度成像技术与普通高分辨像相比具有一...
10.[期刊]
摘要： 用几何相位分析(geometric phase analysis,GPA)方法研究了AlSb/GaAs异质外延薄膜的应变.此方法基于高分辨像的傅里叶变换.通过...
11.[期刊]
摘要： 在(001)LaAlO3上生长钙钛矿型Ba0.3Sr0.7TiO3外延薄膜近界面层,用HRTEM观察到多种新型的分解失配位错,其中两种较复杂的分解失配位错已见...
12.[期刊]
摘要： 本文利用TEM和XRD研究了两种形态的珠光体钢形变导致渗碳体(Fe3C)分解的现象,发现Fe3C的形态影响其分解的方式.在变形的初始阶段,片状和粒状Fe3C分...
13.[期刊]
摘要： Using a homemade bi-metallic extensor, the in-situ tensile experiments of Mo na...
14.[期刊]
摘要： 利用脉冲激光沉积（ pulsed laser depositon， PLD）方法在YSZ（ Y2 O3 stabilised zirconia）单晶衬底上外延...
15.[期刊]
摘要： A new developed in situ TEM technology loaded by bimetallic strips is carried o...
16.[期刊]
摘要： 对国内外几种SIMOX硅薄膜样品进行位错密度测量,再用紫外光致荧光法(UVF)对其在集成电路工艺流片前后的Fe、Cu、Ni、Mo等重离子沾污作对比测定,结合S...
17.[期刊]
摘要： 氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素.目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点.扼要综述了位错对于材料及器件的物理性能的影响...
18.[期刊]
摘要： 由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si基器件成为一个研究热点.然而,GaN与Si之间的热失配容易引...
中国科学技术大学学报
曲阜师范大学学报（自然科学版）
