Mg掺杂对ZnO基体声波谐振器性能的影响

摘要

文中利用Mg掺杂ZnO压电膜制备了薄膜体声波谐振器,在较低浓度Mg掺杂时,器件机电耦合系数有微弱增大;当掺杂浓度过高时,机电耦合系数呈下降趋势.当掺杂Mg元素质量分数为2.23％时,器件在20～100℃内的温度频率系数为-26.0 ppm/℃,比之前纯ZnO基薄膜体声波谐振器的温度频率系数值-69.5 ppm/℃下降了很多.