玻璃-硅微结构封装过程工艺参数对键合质量的影响

摘要

通过MEMS封装试验平台,对键合过程中的键合温度、键合时间等工艺参数以及试验硅片规格进行试验研究.通过改变键合温度、键合时间以及试验硅片规格等参数,进行玻璃-硅键合对比试验.计算每组对比试验的键合空隙率,分析每组对比试验空隙率的数据,归纳总结影响键合质量的因素以及达到键合最佳效果的键合条件.试验结果表明:键合电压为1 200 V,温度为445 ～ 455 ℃,键合时间为60 s时,空隙率小于5％,玻璃与硅片的键合质量达到最佳,为提高玻璃-硅键合质量提供了依据.