GeTe薄膜的性质、应用及其红外探测研究进展

摘要

cqvip:GeTe基半导体的非晶态,α-GeTe相和β-GeTe相可以相互转换,且在一定条件下稳定存在。利用高浓度空穴掺杂改善GeTe热电和铁电性能,以及非晶相和晶相间的巨大差异和快速切换,使其在热电、自旋器件、相变开关、相变存储等多个领域具有很大的应用前景。此外,GeTe具有窄光学带隙和高载流子迁移率,有望用于高性能红外光电探测,然而其在红外光电探测方面还处于初始阶段。本综述在详述其性质及在热电、相变等领域应用情况的基础上,根据GeTe的光电性质,展望了其在红外光电探测领域方面的应用。