在SOI硅片上制造磁敏差分电路

摘要

阐述基于SOI硅片制造新型P+-I-N+双注入磁敏差分电路的设计原理和制造工艺.构成新型P+-I-N+双注入磁敏差分电路的磁敏三极管的复合区采用MEMS中的各向异性腐蚀技术和喷砂工艺进行设置,给出了这种复合区的复合机理.实验结果表明,此种三极管具有磁灵敏度高和可靠性高的特点.因此由这种新型磁敏三极管构成的差分电路还具有温漂小的优点.