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付东波; 杜涛涛; 沈绍群;
天地科技股份有限公司 开采设计事业部;
北京 100013;
复旦大学信息科学与工程学院;
上海 200433;
煤炭开采; 双层电阻栅; SOI应变计; 钻孔应力计;
机译:纳米级双栅SOI MOSFET中的源/漏扩展区工程:适用于低压模拟应用的新颖设计方法
机译:单栅SOI纳米纳时钟连接晶体管,10nm门长度:设计指南和与传统SOI FinFET的比较
机译:具有背栅的异质电介质堆叠栅SOI-TFET及其在数字逆变器中的应用
机译:具有使用双层埋氧化物的选择性背栅偏压的稳定高密度FD / SOI SRAM
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:通过3D TCAD仿真研究了基于连接的单栅SOI MOSFET的连接型单栅SOI MOSFET的SEU敏感性
机译:基于电阻应变计应用温度补偿的传感器设计注意事项
机译:SOI / RF SIGE应用超高电阻率埋线电感器的设计结构和方法
机译:SOI / RF SIGE应用的超高电阻晶片的埋入式电感器的设计结构和方法
机译:用于剪切力应力检测的双电阻应变计装置,具有曲折形的电阻应变计,每个应变计均包括两个测量导轨,以对角线相对设置在支撑上,并以指定角度
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