对铜——氮共掺杂氧化锌的导电及光催化性质的研究

摘要

cqvip:采用第一原理平面波超软赝势的方法研究了纯Zn O和Cu,N,Cu+N掺杂Zn O的几何结构、杂质形成能、电子和光学性质。计算结果表明,与N掺杂相比,Cu+N共掺杂的形成能更小,光生电子空穴对更容易分离,带隙更窄。光学性质计算表明,所有掺杂体系的吸收边都向低能区移动,Cu+N掺杂的Zn O在可见光范围内有明显的红移且出现了较强的吸收峰,可有效提高Zn O的光催化活性。