基于正交试验评价退火工艺对P-ITO薄膜光电性能的影响

摘要

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备P-ITO薄膜,并在氮气气氛下进行不同条件的退火处理。以薄膜厚度、退火温度和退火时间为正交试验因子,通过正交试验讨论了这三个因子对薄膜方块电阻和透过率的影响。利用XRD、SEM和AFM对薄膜的微观结构进行表征。试验结果表明:薄膜厚度对方块电阻起决定性作用,退火温度和退火时间对薄膜透过率影响较大。退火处理对薄膜晶粒分布无显著影响,但增加了薄膜表面粗糙度。