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非易失性存储器; nvSRAM; 静态随机存取存储器; SONOS; 实时时钟; 存取时间; 半导体; 嵌入式;
机译:使用自旋功能MOSFET的非易失性逻辑应用于非易失性电源门控逻辑验证非易失性SRAM /触发器的可能性
机译:东京技术集团开发伪旋转非易失性SRAM(NV-SRAM)和非易失性触发器(NV-FF)
机译:东京技术本地集团,伪旋转非易失性SRAM(NV-SRAM)和非易失性触发器(NV-FF)开发
机译:使用非易失性保留的新型电源门控架构:SRAM的非易失性电源门控(NVPG)和常关架构的比较研究
机译:用于计算和安全性的新兴非易失性内存技术
机译:具有两个平面内易轴的磁性膜中基于平面霍尔效应的非易失性逻辑门
机译:基于铁电容器的非易失性SRAM设计的单事件效应模拟
机译:NiFe / pLZT多铁性薄膜异质结构中铁磁共振的非易失性铁电开关(后印刷)。
机译:具有氧化物堆叠的非易失性存储元件和使用该非易失性SRAM的非易失性SRAM
机译:具有氧化物堆叠的非易失性存储器件和使用该非易失性SRAM的非易失性SRAM
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