東工大グループ、擬似スピン不揮発性SRAM（NV－SRAM）と不揮発性フリップフロップ（NV-FF）開発

摘要

東京工業大学の研究グループは、神奈川科学技術アカデミーと共同でCMOS／スピントロニクス融合技術を応用した擬似スピンMOSFETを用いて構成できる、不揮発性SRAM（NV－SRAM）および不揮発性フリップフロップ（NV－FF）の開発を行った。高精度回路シミュレーションから擬似スピンMOSFETを用いたこれら記稔回路の優位性·有用性と、不揮発性パワーゲーテインゲ鍋VPG）と呼ばれる究極のスタンバイ（待機時）電力削減アーキテクチャへ応用した場合の効果と設計指針を明らかにした。今回の研究の成果は総合的に極めて低消費電力の8MOSロジックシステムを構築できる新たな基盤技術になると期待される。