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非易失性; 数据记录; 静态RAM; 英飞凌科技; 苛刻环境; SRAM;
机译:使用自旋功能MOSFET的非易失性逻辑应用于非易失性电源门控逻辑验证非易失性SRAM /触发器的可能性
机译:东京技术集团开发伪旋转非易失性SRAM(NV-SRAM)和非易失性触发器(NV-FF)
机译:东京技术本地集团,伪旋转非易失性SRAM(NV-SRAM)和非易失性触发器(NV-FF)开发
机译:使用非易失性保留的新型电源门控架构:SRAM的非易失性电源门控(NVPG)和常关架构的比较研究
机译:使用非易失性内存和可靠性技术的高效数据中心架构。
机译:具有两个平面内易轴的磁性膜中基于平面霍尔效应的非易失性逻辑门
机译:基于铁电容器的非易失性SRAM设计的单事件效应模拟
机译:NiFe / pLZT多铁性薄膜异质结构中铁磁共振的非易失性铁电开关(后印刷)。
机译:具有氧化物堆叠的非易失性存储元件和使用该非易失性SRAM的非易失性SRAM
机译:具有基于区域的非易失性存储文件系统的可靠性高耐用性的非易失性存储设备
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